Guests Institute for Theoretical Technical Engineering - Prof. Brinkmann

TET

02.06.2015 - PROF. DR. WILLIAM HITCHON

Vom 17. bis 19. Juni 2015 wird Prof. Hitchon von der University of Wisconsin-Madison (USA) zu Gast am SFB-TR 87 sein. Seit 1982 arbeitet er im Department of Electrical and Computer Engineering und wird einen Überblick über seine Forschung zur Simulation von Niedertemperatur Plasmen geben. Der Vortrag findet am Freitag, den 19. Juni 2015 um 10.30 Uhr statt (Ruhr-Universität Bochum, Gebäude ID, Raum 03/411). 
Bereits in der ersten Förderphase besuchte Prof. Hitchon den SFB-TR 87 in Bochum. Seit dem besteht eine fruchtbare Kooperation.

William Hitchon

TET

30.03.2015 - GAST: PROF. DR. JULIAN SCHUL­ZE

Vom 23. Bis 27. März be­such­te Prof. Ju­li­an Schul­ze von der West Vir­gi­nia Uni­ver­si­ty, USA, den Lehr­stuhl für Theo­re­ti­sche Elek­tro­tech­nik an der Ruhr-Uni­ver­si­tät Bo­chum. Im Fokus stan­den der wis­sensschaft­li­che Aus­tausch mit den Lehr­stüh­len AEPT und TET sowie die Ar­beit mit Se­bas­ti­an Wil­czek, Dok­torand, am ge­mein­sa­men For­schungs­the­ma. Die For­schungs­ko­ope­ra­ti­on der bei­den Uni­ver­si­tä­ten im Be­reich Plas­ma­tech­nik wird in Zu­kunft wei­ter aus­ge­baut und ver­ste­tigt. Prof. Schul­ze stu­dier­te, pro­mo­vier­te und ha­bi­li­tier­te an der Ruhr-Uni­ver­si­tät Bo­chum. Als viel­ver­spre­chen­der Nach­wuchs­wis­sen­schaft­ler auf dem Feld der Nie­der­tem­pe­ra­tur-Plas­ma­phy­sik wurde er be­reits 2012 mit dem Hans-Wer­ner-Ost­hoff-Plas­ma­phy­sik-Preis aus­ge­zeich­net. Be­ein­dru­ckend waren der Um­fang und die her­aus­ra­gen­de Qua­li­tät sei­ner Ar­bei­ten, die in den we­ni­gen Jah­ren von Phy­sik­di­plom über Pro­mo­ti­on bis zur Ha­bi­litand am In­sti­tut für Ex­pe­ri­men­tal­phy­sik V der RUB ent­stan­den sind. Seine Ex­pe­ri­men­te haben das Ver­ständ­nis der Phy­sik von Hoch­fre­quenz-Ent­la­dun­gen we­sent­lich er­wei­tert. Nach einer kur­zen Zeit als Post-Doc an der Hun­ga­ri­an Aca­de­my of Sci­en­ces ist er nun As­sis­tant Pro­fes­sor an der West Vir­gi­nia Uni­ver­si­ty und gilt als welt­weit an­er­kann­ter Ex­per­te auf dem Ge­biet der RF-Plas­men. Ge­mein­sam mit Se­bas­ti­an Wil­czek un­ter­sucht Prof. Schul­ze die Hei­zung/Dy­na­mik von Elek­tro­nen in ka­pa­zi­ti­ven Nie­der­dru­ck­ent­la­dun­gen. Die­ser Heiz­me­cha­nis­mus hat einen ent­schei­den­den Ein­fluss auf die Plas­ma­zu­sam­men­set­zung und muss ver­stan­den wer­den, um in­dus­tri­el­le Be­schich­tungs- und Ätz­pro­zes­se we­sent­lich bes­ser kon­trol­lie­ren zu kön­nen. Ba­sie­rend auf vor­he­ri­gen Zu­sam­men­ar­bei­ten wurde im März 2015 ein Ar­ti­kel über die Ein­schluss­gü­te von hoch­en­er­ge­ti­schen Bea­melek­tro­nen pu­bli­ziert. Die Ko­ope­ra­ti­on wird auch in Zu­kunft wei­ter­ge­führt. Im Som­mer­se­mes­ter bie­tet Prof. Schul­ze ein Blocks­e­mi­nar über fünf Tage für Stu­die­ren­de und In­ter­es­sier­te an. Mit sei­nem Be­such an der RUB wur­den wei­te­re in­ter­es­san­te The­men der Plas­ma­tech­nik dis­ku­tiert und un­ter­sucht. Ge­mein­sa­me Ver­öf­fent­li­chun­gen sind ge­plant.

Julian Schulze

TET

17.03.2015 - GAST: DR. SVEN ZIMMERMANN

Am 24.03.2015 wird Dr. Sven Zimmermann von der TU Chemnitz bzw. vom Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme im Rahmen des Fakultätskolloquiums (Eletrotechnik und Informationstechnik) einen Vortrag in ID 04/401 halten. Der Titel ist "28 nm Technologies and Beyond: Challenges of Plasma Processing". Interessierte sind herzlich eingeladen.
Dr. Sven Zimmermann ist zu Gast bei PD Dr. Thomas Mussenbrock (TET).

Kolloquiumsvortrag Sven Zimmermann


ABSTRACT: Plasma patterning processes play a key role in modern ULSI device fabrication. With further
scaling of device dimensions plasma process characteristics become more and more the
limiting factor in pattern minimization not least due parasitic effects caused by different plasma properties. Such effects are notching, footing and source/drain destruction during high-k/metal-gate patterning as well as the most critical sidewall damage while etching trenches an
d vias in back-end of line technologies for ultra low-k dielectrics. Finally the charge
damage of thin gate oxides during plasma processing results in decreased reliability and function
ality of completed devices. The lecture overviews typical challenges during plasma patterning processes in 28 nm and 22 nm technology nodes by means of today’s back-end of line integration schemes. Different plasma diagnostic methods give an insight into physical and chemical conditions
of different etch chambers and their influence on process results and damaging behavior.
Finally a plasma assisted chemical repair process for etch damaged ultra low-k sidewalls will
be introduced. This process bases on the fragmentation of different organosilicon molecules using in a downstream plasma chamber, whereby significantly enhanced repair efficiency can be achieved.

TET

16.03.2015 - GÄSTE: DR. ZOL­TAN DONKO UND DR. PETER HART­MANN 

Donko Hartmann Trieschmann

Vom 2. bis 6. März 2015 waren Dr. Zol­tan Donko und Dr. Peter Hart­mann vom Wi­g­ner Re­se­arch Cen­ter for Phy­sics der Un­ga­ri­schen Aka­de­mie der Wis­sen­schaf­ten zu Gast am Lehr­stuhl für Theo­re­ti­sche Elek­tro­tech­nik in Bo­chum. Hier­bei boten sich viele Ge­le­gen­hei­ten für eine in­ten­si­ve Zu­sam­men­ar­beit und einen regen Aus­tausch zum Me­cha­nis­mus der Elek­tro­nen­hei­zung in ka­pa­zi­tiv ge­kop­pel­ten Nie­der­tem­pe­ra­tur­plas­men. Der Auf­ent­halt wurde ge­för­dert durch die Deut­sche For­schungs­ge­mein­schaft im Rah­men des Son­der­for­schung­be­reichs Trans­re­gio 87.

 

 

 

Zoltan Donko

TET

13.03.2015 - GAST: PRO­FES­SOR IS­MAIL RA­FATOV 

Assoc. Pro­fes­sor Is­mail Ra­fatov from the Phy­sics de­part­ment of METU vi­si­ted TET on 11 March 2015. He pre­sen­ted de­tai­led se­mi­nars on the three dif­fe­rent to­pics of his ex­per­ti­se: (1) Over­view of the main mo­del­ling ap­proa­ches (ki­ne­tic/par­ti­cle, hy­brid, and fluid) for gas di­sch­ar­ge plas­mas, (2) Mo­del­ling in COM­SOL Mul­ti­phy­sics: "Equa­ti­on based" model vs. COM­SOL Plas­ma Mo­du­le and (3) Chaos and pat­tern for­ma­ti­on in low-tem­pe­ra­tu­re plas­mas. In the se­mi­nars the basic mo­del­ling ap­proa­ches for the gas di­sch­ar­ge plas­mas were out­lined. Fi­nal­ly, a de­tai­led ana­ly­sis of spa­ti­al and tem­po­ral pat­tern for­ma­ti­on in a dc dri­ven "bar­ri­er" di­sch­ar­ge sys­tem was pre­sen­ted. In the case of pu­re­ly tem­po­ral oscil­la­ti­ons, a tran­si­ti­on of the sys­tem to chaos through pe­ri­od dou­bling bi­fur­ca­ti­ons cas­ca­de could be iden­ti­fied. Bey­ond the in­iti­al tran­si­ent re­gime, nu­me­ri­cal so­lu­ti­ons re­pro­du­ced the Hopf or Tu­ring-Hopf in­sta­bi­li­ty of the ho­mo­ge­neous sta­tio­na­ry state. The agree­ment bet­ween 1d, 2d, and 3d nu­me­ri­cal si­mu­la­ti­ons and a li­ne­ar sta­bi­li­ty ana­ly­sis (wi­t­hin its range of va­li­di­ty) were also de­mons­tra­ted. The visit was spon­so­red by the Ger­man Re­se­arch Fo­un­da­ti­on in the frame of the trans­re­gio­nal col­la­bo­ra­ti­ve re­se­arch cent­re TRR-87.

Is­mail Ra­fatov